中车 SiC 模块采用中车第二代精细平面栅 SiC MOSFET，具有低开关损耗，高工作结温，低导通电阻等特点，配合银烧结、铜线键合等先进互连封装工艺，产品具备足够的鲁棒性。涵盖1200V 至 3300V 电压范围，适用于电动汽车及轨道交通领域。
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